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会员类型:
会员年限:6年
IC编号:K4M561633G-BN75 品牌:SAMSUNG/三星 IC代码:16MX16 LPDRAM IC类别:SDRAM-MOBILE-LP 封装:FBGA-54 外包装:TRAY
发布询价IC编号:K4B1G0846G-BCK0 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR3 SDRAM IC代码:128MX8 DDR3 封装:FBGA 电压(伏):1.5 V
发布询价IC编号:K4B2G0846Q-BCK0 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR3 SDRAM IC代码:256MX8 DDR3 脚位/封装:FBGA 电压:(伏)1.5 V
发布询价IC编号:K4B2G0846Q-BCKO 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR3 SDRAM IC代码:256MX8 DDR3 电压:(伏)1.5 V 字数:256M
发布询价IC编号:K4B1G1646G-BCH9 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR3 SDRAM IC代码:64MX16 DDR3 外包装:TRAY 封装:FBGA-96
发布询价型号:HY5PS1G1631CFP-S5 品牌:SKHYNIX/海力士 IC类别:DDR2SDRAM IC代码:64MX16DDR2 脚位/封装:FBGA 电压(伏):1.8V
发布询价IC编号:HY5PS1G831CFP-S6 品牌:HYNIX/海力士 IC 类别:DDR2 SDRAM IC代码:128MX8 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V
发布询价品牌:SAMSUNG/三星 IC代码:64MX16 DDR2 电压(伏):1.8 V 标准外箱:5120 位组织:x16 外包装:TRAY 脚位/封装:FBGA
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