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K4H510838J-LCCC内存报价库存特价让利主图

K4H510838J-LCCC内存报价库存特价让利参数

制造商IC编号K4H510838J-LCCC

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR1 SDRAM

IC代码64mx8 ddr1

脚位/封装TSOP2

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.5 V

温度规格0°C to +85°C

速度DDR400 (200MHz @ CL=3, tRCD=3, tRP=3)

标准包装数量

标准外箱

潜在应用LED APPLICATION/LED應用MODULE/FLASH CARD MAKER/記憶体/記憶卡製造商ROUTER网络/路由器製造商

K4H510838J-LCCC内存报价库存特价让利相关信息

非易失性存储器(NVM)在半导体市场占有重要的一席之地，特别是主要用于手机和其它便携电子设备的闪存芯片。今后几年便携电子系统对非易失性存储器的要求更高，数据存储应用需要写入速度极快的高密度存储器，而代码执行应用则要求存储器的随机访存速度更快。

使用比写入电流低很多的且无重要的焦耳热效应的电流读取存储器，从而可以区别高电阻（非晶体）和低电阻（晶体）状态。

PCM被业界看好是因为两大原因。

原因是存储器功能性增强：这些改进之处包括更短的随机访存时间、更快的读写速度，以及直接写入、位粒度和高耐读写能力。整合今天的闪存和快速动态随机访问存储器（DRAM）的部分特性，PCM技术将存储器的功能提升到一个新的水平，终不仅可以取代闪存，还能替代DRAM的部分用处，如常用操作码保存和高性能磁盘缓存 。

存储单元小和制造工艺可以升级是让人们看好PCM的第二大理由。相变物理性质显示制程有望升级到5 nm节点以下，有可能把闪存确立的成本降低和密度提高的速度延续到下一个十年期。采用一项标准CMOS技术整合PCM概念、存储单元结构及阵列和芯片测试载具的方案已通过广泛的评估和论证。128 Mb高密度相变存储器原型经过90 nm制程论证，测试表明性能和可靠性良好。根据目前已取得的制程整合结果和对PCM整合细节理解水平，下一个开发阶段将是采用升级技术制造千兆位（Gbit）级别的PCM存储器。