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HY5PS561621BFP-Y5存储芯片经销商热卖主图

HY5PS561621BFP-Y5存储芯片经销商热卖参数

制造商IC编号HY5PS561621BFP-Y5

厂牌SK HYNIX/海力士

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码16MX16 DDR2

脚位/封装FBGA

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.8 V

温度

规格速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

HY5PS561621BFP-Y5存储芯片经销商热卖相关信息

三星电子计划将其NAND闪存价格提高10％，原因是日本政府对半导体材料出口限制导致生产中断的担忧日益增加。美光科技等其他公司也可能效仿。

近，在东芝发生停电事故后，三星电子的供需状况有所改善。此外，NAND闪存库存已经减少到四周，大约是DRAM库存的一半，而NAND闪存需求在价格大幅下降后这几天正在上升。这个项目的价格此时并没有下降。适用于公司间交易的合同价格在今年6月份停止了7个月，当时128 Gb MLC的单价为3.93美元。此外，近期现货价格小幅上涨。三星电子的举动与近一直持续的价格下跌有关。6月价格为3.93美元，是自2016年9月以来的格，当时价格为3.75美元。作为参考，一年前的单价高达5.5美元。上个月，合约价格变化不大，而DRAM合约价格下跌11.73％。

与此同时，东芝是业内第二大产品，在事故发生后，其产量减少了20％以上。不仅东芝而且西部数据公司在东芝的制造工厂生产NAND闪存。这起事故对三星电子和SK海力士的库存产生了重大影响，因为东芝和西部数据的市场份额分别高达19.3％和15.3％。重要的是智能手机制造商和服务器公司是否会在计划价格上涨后继续增加需求。业内人士指出，半导体产业不太可能在明年上半年恢复，这意味着目前的价格上涨势头不太可能继续。相反，计划的价格上涨反映了NAND闪存制造商的绝望情绪，除了三星电子之外，这些制造商处于亏损状态。