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H5TQ2G63DFR-H9C手机用存储芯片原装现货主图

H5TQ2G63DFR-H9C手机用存储芯片原装现货参数

制造商IC编号H5TQ2G63DFR-H9C

厂牌SK HYNIX/海力士

IC 类别DDR3 SDRAM

IC代码128MX16 DDR3

脚位/封装FBGA-96

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.5 V

温度规格0°C to +85°C

速度PC-1333

标准包装数量

标准外箱

潜在应用LED APPLICATION/LED應用

H5TQ2G63DFR-H9C手机用存储芯片原装现货相关信息

2019年9月25日 – 工控储存大厂宜鼎国际，将推出针对高阶市场应用的储存方案3TS5-P，采用3D NAND TLC ，并符合JESD219负载标准，特别针对高速读写和长时间运作进行耐用测试，并优化硬件与固件设计，平均故障间隔时间 （MTBF）高于业界标准，为巨量数据用户与高阶应用提供更耐久的读写负荷需求。此外，全新的3D NAND TLC SSD系列支持各种外型规格，并特别设计动态温控调节功能，可使硬盘维持长时间稳定运行，不仅提供快速的访问速度，更让系统平稳无虞。

宜鼎全新的3D NAND TLC SSD系列3TS5-P，将闪存高尖技术带入工业级市场，采用高阶组件，并提供超越工业规格的写入表现，同时配置大容量规格，因此特别适用于大量写入需求的市场应用，如各种监控等设备中。看好未来数据数据保存与传输将成为AIoT时代的基础，新一代3TS5-P SSD提供每日2次全盘写入的数据长度（DWPD=2）；此外，新品符合企业级储存标准，且具备更轻巧的外观造型、高容量储存能力、免除机械干扰，并强化系统风流散热，以及改善电力使用耗能，因此特别适合需要高读写速度、低功耗、高负载，且维持长时间的稳定运作的作业环境。

新一代SSD 3TS5-P具有2.5”， M.2等多种主流规格，并且提供更低的数据延迟和节能功耗，适合常态性的每日连续写入工作，而宜鼎通过先进的节能机制，提供更高的写入性能和硬件加密 （AES） 技术，在1TB数据容量的测试中，平均读写的延迟大幅降低，因此在需求较大的工业应用上，宜鼎新品能带来更快速且稳定的超凡表现。