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H5PS5162KFR-Y5Cddr800内存价格特价主图

H5PS5162KFR-Y5Cddr800内存价格特价参数

制造商IC编号H5PS5162KFR-Y5C

厂牌SK HYNIX/海力士

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码32MX16 DDR2

脚位/封装FBGA

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.8 V

温度规格(-40°C TO +125°C)

E1速度DDR2-667 5-5-5

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

H5PS5162KFR-Y5Cddr800内存价格特价相关信息

为满足客户对非易失数据存储的要求，设计师通常会使用一个串行EEPROM。这些EEPROM器件体积很小、价格便宜、而且在市场上已经被长期使用，设计工程师使用这些器件非常便利。但是在当今对成本非常敏感的市场领域，增加一个并不昂贵的EEPROM可能会使设计超出预算。很多处理器使用闪存存储程序代码，使用静态RAM存储数据信息。尽管充分利用闪存未使用的部分作为非易失数据存储很有吸引力，但是传统的哈佛架构制约了这种应用。MAXQ架构属于哈佛架构，具有独立的代码和数据总线。但MAXQ器件包含的硬件部分可以实现伪冯诺依曼架构，如同访问数据空间一样访问代码空间。这种额外的多功能性，结合MAXQ的效用函数，可实现存储器的擦写服务，为完整的可读写非易失存储子系统提供了解决方案。

关于闪存的基本考虑闪存是一种电子可擦除存储。通常也被认为是“主读”。简言之，尽管闪存是可写的，但数据更新并不会很频繁，多数的操作都是读操作。多数闪存器件从字面意思来讲都是可写的，但每次只能整块擦除。这使得那些存储器件通常都不适合用于易变存储，只适合用作从不改变内容的固定数据存储。有两种类型的闪存：NAND闪存和NOR闪存。NAND闪存用在存储卡和U盘中。通常，由于数据按时钟串行传输，从NAND器件中读数据需要数个周期。这种有序的操作使NAND闪存不适合用作程序代码存储，因为读取时间会太长。相反，NOR闪存类似传统字节宽度或字宽度存储。读取NOR闪存就像读取ROM器件：先发器件选择和地址命令，在等待足够的存取时间之后，从总线上读取数据。NOR闪存用于MAXQ处理器中。