相关证件：
会员类型：
会员年限：6年
池晓彬 
电话：13025440739
手机：13025440739
H5TC4G63AFR-PBC海力士ddr3内存厂家直销主图
H5TC4G63AFR-PBC海力士ddr3内存厂家直销参数
制造商IC编号H5TC4G63AFR-PBC
厂牌SK HYNIX/海力士
IC 类别DDR3LP SDRAM
IC代码256MX16 LPDDR3
脚位/封装FBGA
外包装TRAY
无铅/环保无铅/环保
电压(伏)1.35v
温度规格0°C to +85°C
速度1600 MHZ
标准包装数量
标准外箱
潜在应用
H5TC4G63AFR-PBC海力士ddr3内存厂家直销相关信息
MAXQ处理器的闪存MAXQ处理器中使用的闪存单元被擦除时会变成“1”状态。因此，在擦除后，存储单元中的每个位置都将包含0xFFFF。对某一存储位置进行编程会把某些位从“1”变成“0”状态。为了使被编程过的位重新变回“1”状态，整个单元必须被擦除。
任何电擦除的存储器件必须面临的问题是持久性。根据特定的技术，一个闪存单元在完全失效之前，可以忍耐的擦除次数少达1,000次，多达1,000,000次。因此，使用闪存做数据存储的任何应用都必须保证写操作循环在整个阵列中均匀分布，不允许某一个位置的擦除编程次数比其他位置多很多。
MAXQ器件编程受限制的理由如下。正在被编程的存储单元起初是作为代码空间的，所以必须很谨慎，禁止对已写过的位置的任何写操作。0xFFFF指令指一条无效的源代码，它不太可能出现在有效的代码单元内。因此，阻止对已编程过的位置的写操作能够帮助保持代码单元的完整性。
询价
