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MT41J128M16HA-125:D存储芯片深圳主图

MT41J128M16HA-125:D存储芯片深圳参数

制造商IC编号MT41J128M16HA-125:D

厂牌MICRON/美光

IC 类别DDR3 SDRAM

IC代码128MX16 DDR3

脚位/封装FBGA

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.5 V

温度规格0°C to +85°C

速度800 MHZ

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

MT41J128M16HA-125:D存储芯片深圳相关信息

在存储领域，美光一直是领头羊一般的存在，无论是DRAM工艺还是NADN Flash工艺都十分稳健，10nm工艺上面更是玩出花样，其中1xnm已经十分成熟，1ynm目前正在扩充产能，生产对象有12Gb LPDDR4X、16Gb DDR4颗粒等。

之前美光已经宣布将在广岛工厂投产1znm，并在2020财年(今年9月开始)投入量产，据称会主要用来生产16Gb LPDDR5、DDR5颗粒。按照DRAM行业的惯例，接下来将是突破10nm级工艺，但是工艺进入个位数时代是在太难，因而美光准备了至少三种新的10nm级工艺：1αnm、1βnm、1γnm。

   也就是说，目前为止美光总计有六种10nm级工艺，但其并未透露更多具体细节，并且美光还在评估EUV极紫外光刻技术，预计届时只需双重曝光，可大大降低工艺复杂度，此外，美光透露，还会用这种颗粒制造单条64GB容量的RDIMM服务器内存。

   根据美光近期发布的财报来看，自家的利润并不理想，但是美光近期又是大动作频频，足以可见其布局之深远，近期内存和SSD的价格下降已经足够多，目前很适合入手，近有需求的玩家可以买起了。