深圳振华航空半导体有限公司

海力士内存卡 新品热卖中

品牌:HHYNIX 字数:16M 位组织:x16 密度:256米 电压(伏):3.3 V 外包装:TRAY

HY57V561620CTP-H阵列卡芯片 全新原装供应

IC编号:HY57V561620CTP-H 品牌:HYNIX/海力士 IC类别:SDRAM IC代码:16MX16 SD 封装:TSOP2 速度:133MHZ

K4T1G164QF-BCE6储存器芯片，全新原装

IC编号:K4T1G164QF-BCE6 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:64MX16 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V

K4T1G164QE-HIE6储存芯片 原装现货供应

IC编号:K4T1G164QE-HIE6 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:64MX16 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V

K4T1G084QG-BCF8存储类芯片 全新原装现货

IC编号:K4T1G084QG-BCF8 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:128MX8 DDR2 封装:FBGA 密度:1g

K4T1G084QG-BCF7云存储芯片

IC编号:K4T1G084QG-BCF7 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:128MX8 DDR2 封装:FBGA 位组织:x8

K4T1G084QF-BCE7可存储芯片

IC编号:K4T1G084QF-BCE7 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:128MX8 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V

K4M561633G-BN75存储芯片 原装供应

IC编号:K4M561633G-BN75 品牌:SAMSUNG/三星 IC代码:16MX16 LPDRAM IC类别:SDRAM-MOBILE-LP 封装:FBGA-54 外包装:TRAY

K4B1G0846G-BCK0内存条价格

IC编号:K4B1G0846G-BCK0 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR3 SDRAM IC代码:128MX8 DDR3 封装:FBGA 电压(伏):1.5 V

K4B2G0846Q-BCK0存储芯片 原装热卖中

IC编号:K4B2G0846Q-BCK0 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR3 SDRAM IC代码:256MX8 DDR3 脚位/封装:FBGA 电压:(伏)1.5 V

K4B2G0846Q-BCKO存储芯片 原装现货产品

IC编号:K4B2G0846Q-BCKO 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR3 SDRAM IC代码:256MX8 DDR3 电压:(伏)1.5 V 字数:256M

K4B1G1646G-BCH9闪存芯片 原装现货

IC编号:K4B1G1646G-BCH9 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR3 SDRAM IC代码:64MX16 DDR3 外包装:TRAY 封装:FBGA-96

海力士内存ddr2

品牌:HHYNIX 型号:HY5PS1G1631CFP-S5 IC类别:DDR2SDRAM IC代码:64MX16DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8V

海力士DDR内存

品牌:HHYNIX 型号:HY5PS1G1631CFP-S5 IC类别:DDR2SDRAM IC代码:64MX16DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8V

海力士闪存芯片 原装现货

品牌:海力士 IC类别:DDR2SDRAM IC代码:64MX16DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8V 潜在应用:CDROM/DVD/VCD

HY5PS1G1631CFP-S5ecc芯片 全新

型号:HY5PS1G1631CFP-S5 品牌:SKHYNIX/海力士 IC类别:DDR2SDRAM IC代码:64MX16DDR2 脚位/封装:FBGA 电压(伏):1.8V

HY5PS1G831CFP-S6s闪存 原装供应中

IC编号:HY5PS1G831CFP-S6 品牌:HYNIX/海力士 IC 类别:DDR2 SDRAM IC代码:128MX8 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V

三星手机闪存 全新原装热卖

品牌:SAMSUNG 标准外箱:5120 脚位/封装:FBGA IC代码:64MX16 DDR2 外包装:TRAY 标准包装数量:1280

三星全新芯片 原装热卖

品牌:SAMSUNG/三星 电压(伏):1.8 V 标准外箱:5120 位组织:x16 标准包装数量:1280 密度:1g

三星芯片系列 原装 大量供应中

品牌:SAMSUNG/三星 IC代码:64MX16 DDR2 电压(伏):1.8 V 标准外箱:5120 位组织:x16 外包装:TRAY 脚位/封装:FBGA

三星芯片价格

品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:64MX16 DDR2 脚位/封装:FBGA 电压(伏):1.8 V 标准包装数量:1280

K4T1G164QF-BCE7内存芯片 全新热卖中

品牌:三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:64MX16 DDR2 位组织:x16 密度:1g 电压(伏):1.8 V

K4T1G164QF-BCF7存储器芯片 三星原装热卖

品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:64MX16 DDR2 脚位/封装:FBGA 电压(伏):1.8 V 密度:1g

K4T1G164QF-BCF8内存芯片 原装现货供应

品牌:三星 IC类别:DDR2SDRAM IC代码:64MX16DDR2 脚位/封装:FBGA 电压(伏):1.8V 位组织:x16

K4T1G164QF-BIE6高性能存储芯片

品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:64MX16 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V 字数:64m

K4T1G164QG-BCE6内存芯片

品牌:SAMSUNG/三星 型号:K4T1G164QG-BCE6 IC 类别:DDR2 SDRAM IC代码:64MX16 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V

笔记本内存条海力士

品牌:海力士 型号:HY5PS561621AFP-25 封装:FBGA IC 类别:DDR2 SDRAM IC代码:16MX16 DDR2 电压(伏):1.8 V

海力士内存条ddr

品牌:海力士 型号:HY5PS561621AFP-25 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:16MX16 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V

DDR内存HY5PS561621AFP-25 质优价廉

品牌:海力士 IC 类别:DDR2 SDRAM IC代码:16MX16 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V 型号:HY5PS561621AFP-25

MT41J128M16HA-15EDsd卡芯片，原装现货供应

品牌:MICRON IC编号:MT41J128M16HA-15ED IC 类别:DDR3 SDRAM IC代码:128MX16 DDR3 封装:FBGA 电压(伏):1.5 V

全新K4T1G164QG-BCE7闪存芯片，原装

品牌:SAMSUNG IC编号:K4T1G164QG-BCE7 IC代码:64MX16 DDR2 IC 类别:DDR2 SDRAM 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V

K4T1G164QQ-HCE6芯片内存 全新原装热卖

品牌:SAMSUNG IC 类别:DDR2 SDRAM 封装:FBGA IC代码:64MX16 DDR2 外包装:Tray 电压(伏):1.8 V

K4T1G164QG-BCF7存储器芯片

品牌:SAMSUNG/三星 IC编号:K4T1G164QG-BCF IC 类别:DDR2 SDRAM IC代码:64MX16 DDR2 封装:FBGA 外包装:TRAY

三星手机内存芯片

品牌:SAMSUNG/三星 封装:BGA 类型:通信IC IC代码:32MX16DDR2 电压(伏):1.8V 位组织:x16

三星存储芯片

品牌:SAMSUNG/三星 脚位/封装:FBGA 型号:K4T51163QI-HCE6 类型:通信IC IC代码:32MX16DDR2 IC类别:DDR2SDRAM

全新原装K4T1G164QQ-HCF7芯片存储器

品牌:SAMSUNG 脚位/封装:FBGA IC类别:DDR2SDRAM 类型:通信IC 电压(伏):1.8 V 位组织:x16

三星内存条ddr3

品牌:SAMSUNG 类型:通信IC IC类别:DDR2SDRAM IC代码:32MX16DDR2 电压(伏):1.8V 脚位/封装:FBGA

三星ddr2内存条

脚位/封装:FBGA 电压(伏):1.8V 位组织:x16 密度:512m 字数:32M 品牌:SAMSUNG