深圳振华航空半导体有限公司

内存条海力士

电压:1.5V 品牌:HYNIX/海力士 速度:DDR3-160011-11-11 标准包装数量:1600 密度:2g 产品系列:DRAM

海力士16g内存 原装现货

品牌:HHYNIX IC代码:256MX8DDR3 脚位/封装:FBGA-78 外包装:TRAY 速度:DDR3-160011-11-11 位组织:x8

内存4gb海力士 特价供应

品牌:HYNIX/海力士 IC类别:DDR3SDRAM 脚位/封装:FBGA-78 电压(伏):1.5V 标准包装数量:1600

海力士内存供应 原装热卖

ic类型:DDR2SDRAM ic代码:64MX16DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8v

ddr芯片H5TC8G63AMR-PBA 原装供应中

品牌:HYNIX/海力士 IC编号:H5TC8G63AMR-PBA IC 类别:DDR3LP SDRAM IC代码:512MX16 LPDDR3 封装:FBGA-78 电压(伏):1.35v

海力士内存条2g 全新热卖

品牌:HYNIX/海力士 IC 类别:DDR3 SDRAM 外包装:TRAY 电压(伏):1.5 V

海力士ddr3内存条价格

品牌:海力士 外包装:TRAY 封装:FBGA-78 电压(伏):1.5 V 字数:256M 密度:2g

H5TQ2G83CFR-H9C闪存芯片 原装

品牌:HYNIX/海力士 IC类别:DDR3 SDRAM IC代码:256MX8 DDR3 封装:FBGA-78 外包装:TRAY 电压(伏):1.5 V

海力士内存条价格

品牌:HYNIX/海力士 IC类别:DDR3 SDRAM IC代码:256MX8 DDR3 封装:FBGA-78 外包装:TRAY 电压(伏):1.5 V

海力士内存

IC编号:H5TQ2G83EFR-PBC 品牌:海力士 IC类别:DDR3 SDRAM IC代码:256MX8 DDR3 外包装:TRAY 电压(伏):1.5V

H5TQ2G83EFR-PBC闪存价格

品牌:海力士 IC类别:DDR3 SDRAM IC代码:256MX8 DDR3 封装:FBGA-78 外包装:TRAY 电压(伏):1.5V

海力士内存条1333 原装现货

IC编号:H5TQ2G83EFR-PBC 品牌:SK HYNIX/海力士 IC类别:DDR3 SDRAM IC代码:256MX8 DDR3 封装:FBGA-78 外包装:TRAY

电脑内存海力士 原装供应中

品牌:HHYNIX 字数:256M 位组织:x8 密度:2g 电压(伏):1.5V 封装:FBGA-78

Hynix海力士内存报价

品牌:HHYNIX IC类别:DDR3SDRAM IC代码:256MX8DDR3 封装:FBGA-78 外包装:TRAY 电压(伏):1.5V

海力士内存原装

品牌:海力士 IC代码:256MX8DDR3 封装:FBGA-78 电压(伏):1.5V 速度:DDR3-160011-11-11 字数:256M

海力士1066内存 原装现货

IC编号:H5TQ2G83FFR-PBC 品牌:海力士 IC代码:256MX8DDR3 IC类别:DDR3SDRAM 封装:FBGA-78 电压(伏):1.5V

海力士内存ddr3 热卖中

IC类别:DDR3SDRAM IC代码:256MX8DDR3 封装:FBGA-78 外包装:TRAY 字数:256M 位组织:x8

H5TQ2G83FFR-PBC海力士内存芯片 全新原装供应

IC编号:H5TQ2G83FFR-PBC 品牌:SKHYNIX/海力士 IC类别:DDR3SDRAM IC代码:256MX8DDR3 封装:FBGA-78 电压(伏):1.5V 字数:256M

海力士笔记本内存条

品牌:HHYNIX 封装:TSOP2 外包装:TRAY 速度:133MHZ 密度:256米 位组织:x16

海力士内存卡 新品热卖中

品牌:HHYNIX 字数:16M 位组织:x16 密度:256米 电压(伏):3.3 V 外包装:TRAY

K4T1G164QE-HIE6储存芯片 原装现货供应

IC编号:K4T1G164QE-HIE6 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:64MX16 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V

K4T1G084QG-BCF8存储类芯片 全新原装现货

IC编号:K4T1G084QG-BCF8 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:128MX8 DDR2 封装:FBGA 密度:1g

K4T1G084QG-BCF7云存储芯片

IC编号:K4T1G084QG-BCF7 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:128MX8 DDR2 封装:FBGA 位组织:x8

K4T1G084QF-BCE7可存储芯片

IC编号:K4T1G084QF-BCE7 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:128MX8 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V

K4B2G0846Q-BCK0存储芯片 原装热卖中

IC编号:K4B2G0846Q-BCK0 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR3 SDRAM IC代码:256MX8 DDR3 脚位/封装:FBGA 电压:(伏)1.5 V

K4B1G1646G-BCH9闪存芯片 原装现货

IC编号:K4B1G1646G-BCH9 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR3 SDRAM IC代码:64MX16 DDR3 外包装:TRAY 封装:FBGA-96

海力士闪存芯片 原装现货

品牌:海力士 IC类别:DDR2SDRAM IC代码:64MX16DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8V 潜在应用:CDROM/DVD/VCD

HY5PS1G831CFP-S6s闪存 原装供应中

IC编号:HY5PS1G831CFP-S6 品牌:HYNIX/海力士 IC 类别:DDR2 SDRAM IC代码:128MX8 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V

三星手机闪存 全新原装热卖

品牌:SAMSUNG 标准外箱:5120 脚位/封装:FBGA IC代码:64MX16 DDR2 外包装:TRAY 标准包装数量:1280

三星全新芯片 原装热卖

品牌:SAMSUNG/三星 电压(伏):1.8 V 标准外箱:5120 位组织:x16 标准包装数量:1280 密度:1g

三星芯片系列 原装 大量供应中

品牌:SAMSUNG/三星 IC代码:64MX16 DDR2 电压(伏):1.8 V 标准外箱:5120 位组织:x16 外包装:TRAY 脚位/封装:FBGA

三星芯片价格

品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:64MX16 DDR2 脚位/封装:FBGA 电压(伏):1.8 V 标准包装数量:1280

K4T1G164QF-BIE6高性能存储芯片

品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:64MX16 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V 字数:64m

笔记本内存条海力士

品牌:海力士 型号:HY5PS561621AFP-25 封装:FBGA IC 类别:DDR2 SDRAM IC代码:16MX16 DDR2 电压(伏):1.8 V

海力士内存条ddr

品牌:海力士 型号:HY5PS561621AFP-25 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:16MX16 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V

MT41J128M16HA-15EDsd卡芯片，原装现货供应

品牌:MICRON IC编号:MT41J128M16HA-15ED IC 类别:DDR3 SDRAM IC代码:128MX16 DDR3 封装:FBGA 电压(伏):1.5 V

全新K4T1G164QG-BCE7闪存芯片，原装

品牌:SAMSUNG IC编号:K4T1G164QG-BCE7 IC代码:64MX16 DDR2 IC 类别:DDR2 SDRAM 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V

K4T1G164QG-BCF7存储器芯片

品牌:SAMSUNG/三星 IC编号:K4T1G164QG-BCF IC 类别:DDR2 SDRAM IC代码:64MX16 DDR2 封装:FBGA 外包装:TRAY